1.8 Grundlagen der Digitaltechnik
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Informatik V, Kap. 8, WS 98/99<br />
Typisch ist allerdings für EPROMs und EEPROMs, daß die für die Programmierung und Re-<br />
Programmierung benötigte Spannung wesentlich höher liegt als die normale Versorgungsspannung<br />
von 5 V, typischerweise bei ca. 30V.<br />
Dies und die relativ langsame Programmierprozedur verhin<strong>der</strong>n den Einsatz von EEPROMs als<br />
"nicht flüchtige RAMs".<br />
Den architektonischen Aufbau von ROM-Speichern zeigt Abb. 8.37.<br />
Eingangsadresse<br />
A7<br />
A3<br />
A2<br />
A1<br />
A0<br />
CS<br />
1 aus<br />
32<br />
Deco<strong>der</strong><br />
31<br />
1<br />
0<br />
Spalte<br />
22<br />
Verknüpfung<br />
Zeile<br />
Speichermatrix<br />
32 * 32<br />
0...7 0...7 0...7 0...7<br />
1 aus 8 1 aus 8 1 aus 8 1 aus 8<br />
D0 D1 D2 D3<br />
Datenausgang<br />
Abb. 8.37: Matrix-Aufbau eines ROM-Speichers<br />
Die prinzipielle Organisation eines ROM-Speichers entspricht weitgehend <strong>der</strong> von RAMs. Über eine<br />
Adressdekodierung greift man auf die entsprechende Speicherzelle zu. Die Adressierung erfolgt<br />
entwe<strong>der</strong> bitweise o<strong>der</strong> (zweidimensionale Adressierung) o<strong>der</strong> (meistens) wortweise mit gleichzeitiger<br />
Adressierung mehrerer Zellen.<br />
(Anmerkung: In den meisten Rechnern ist ein 8-Bit-Wort (Byte) die kleinste adressierbare Einheit.<br />
Nur in einigen Mikrocontrollern gibt es einzeln adressierbare Zellen. DRAM-Bausteine sind<br />
allerdings meistens mit 1 Bit Breite ausgeführt, so daß z. B. bei Verwendung von 16 M mal 1 Bit-<br />
Bausteinen gleichzeitig ein bestimmtes Bit in 8 DRAM-Bausteinen gleichzeitig adressiert wird.)<br />
Bei großer Wortbreite erhält man eine eindimensionale o<strong>der</strong> lineare Adressierung.<br />
Mit einer Adreßbreite von k Bit kann man über einen Adreßdeko<strong>der</strong> eine von 2**k möglichen<br />
Wortleitungen auswählen. Liegt eine Wortbreite von m Bit vor, so kann man bei m Bitleitungen und<br />
einer m-spaltigen Matrix von einer Speicherkapazität von C = 2**k mal m Bits ausgehen.<br />
Aus Platzgründen ist es effektiv, möglichst von quadratischen Formen von Speicher-Sektoren<br />
auszugehen (Abb. 8 37). Als Beispiel sei ein 256 mal 4 Bit ROM-Speicher gewählt (k = 8, m = 4).<br />
Er wird in Form einer 32 mal 32 Bit- Matrix organisiert, die in 4 Blöcke zu je 8 Spaltenleitungen<br />
aufgeteilt ist. Die Adressen sind wie<strong>der</strong>um geglie<strong>der</strong>t in die Spaltenadressen auf den Bits A0, A1 und<br />
A2 sowie die Zeilenadressen A3 bis A7. Für die Auswahl <strong>der</strong> Zeile wird ein 1-aus 32-Deko<strong>der</strong><br />
benötigt, das Ausgangsbit wird über 1 - aus 8-Multiplexer ausgewählt.<br />
Die vier Ausgangsleitungen sind über eine CS (Chip-Select) -Signal direkt auf einen bidirektionalen<br />
Bus schaltbar. Da man nur die Speicherzelle erreicht, <strong>der</strong>en Bit- und Wortleitung gleichzeitig o<strong>der</strong><br />
"koininzident" adressiert sind, nennt man diese Art <strong>der</strong> Adressierung auch "Koinzidenz-Adressierung".