1.8 Grundlagen der Digitaltechnik
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Informatik V, Kap. 8, WS 98/99<br />
in<br />
VDD<br />
RL<br />
Verstärkerstufe<br />
out<br />
10<br />
E1 E2<br />
Schottky-Transistor<br />
B<br />
C<br />
Multi-Emitter-Transistor<br />
Abb. 8.16: Transistor mit Schottky-Diode zur Vermeidung <strong>der</strong> Sättigung<br />
Die Schottky-Diode hat jeweils eine geringere Flußspannung als die p-n-Diode des Transistors und<br />
wirkt deshalb als effizienter Nebenschluß.<br />
Da eine solche Schottky-Diode auch günstig und ohne großen Flächenverlust in die integrierte TTL-<br />
Schaltung einbezogen werden kann, haben heute verwendete TTL- Schaltungen praktisch nur noch<br />
in sogenannter "Schottky-Logik" praktische Bedeutung, bei <strong>der</strong> alle Transistoren, die in den Zustand<br />
<strong>der</strong> Sättigung laufen könnten, eine zum B-C-Übergang parallele Schottky-Diode besitzen.<br />
Der logische Hub, das ist <strong>der</strong> Unterschied zwischen "high" und "low" - Pegel beträgt in TTL etwa 2<br />
V.<br />
Auffällig ist, daß die TTL-Logik weitestgehend ohne pnp-Transistoren auskommt.<br />
Man kann in integrierter bipolarer Technologie auch pnp - Transistoren implementieren, aber nicht<br />
mit ähnlicher Leistungsfähigkeit wie npn-Transistoren.<br />
Sie werden aufgebaut entwe<strong>der</strong> als "vertikale" o<strong>der</strong> als "laterale" pnp-Transistoren.<br />
Isolator<br />
C<br />
n++<br />
n -<br />
P -<br />
Abb. 8. 17: Vertikaler pnp-Transistor (Schnitt)<br />
Isolator<br />
B<br />
n+<br />
Abb. 8.18: Lateraler pnp-Transistor<br />
B<br />
n +<br />
P -<br />
C<br />
p<br />
E<br />
p +<br />
Grundsubstrat<br />
E<br />
p +<br />
C<br />
p<br />
n -<br />
Grundsubstrat<br />
Isolator<br />
Isolator