7815/09 - Öffentliches Register der Ratsdokumente - Europa
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a) Bildverstärkerröhren mit allen folgenden Eigenschaften:<br />
1. Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 400 nm<br />
und kleiner/gleich 1 050 nm,<br />
2. elektronische Bildverstärkung mit einer <strong>der</strong> folgenden Eigenschaften:<br />
a) Mikrokanalplatte mit einem Lochabstand (Lochmitte zu Lochmitte)<br />
kleiner/gleich 12 µm o<strong>der</strong><br />
b) elektronensensitives Element mit einem Abstand <strong>der</strong> ungebinnten<br />
Bildpunkte (non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 µm, beson<strong>der</strong>s<br />
konstruiert o<strong>der</strong> geän<strong>der</strong>t für die 'Ladungsverstärkung' (charge<br />
multiplication) auf an<strong>der</strong>e Weise als mit Hilfe einer Mikrokanalplatte, und<br />
3. eine <strong>der</strong> folgenden Fotokathoden:<br />
a) multialkalische Fotokathode (z.B. S-20 und S-25) mit einer Lichtempfindlichkeit<br />
(luminous sensitivity) von mehr als 350 µA/lm,<br />
b) GaAs- o<strong>der</strong> GaInAs-Fotokathode o<strong>der</strong><br />
c) an<strong>der</strong>e "III/V-Verbindungshalbleiter"-Fotokathoden mit einer maximalen<br />
Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W;<br />
b) Bildverstärkerröhren mit allen folgenden Eigenschaften:<br />
1. Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als<br />
1 050 nm und kleiner/gleich 1 800 nm,<br />
2. elektronische Bildverstärkung mit einer <strong>der</strong> folgenden Eigenschaften:<br />
a) Mikrokanalplatte mit einem Lochabstand (Lochmitte zu Lochmitte)<br />
kleiner/gleich 12 µm o<strong>der</strong><br />
b) elektronensensitives Element mit einem Abstand <strong>der</strong> ungebinnten<br />
Bildpunkte (non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 µm, beson<strong>der</strong>s<br />
konstruiert o<strong>der</strong> geän<strong>der</strong>t für die 'Ladungsverstärkung' (charge<br />
multiplication) auf an<strong>der</strong>e Weise als mit Hilfe einer Mikrokanalplatte,<br />
und<br />
3. Fotokathoden aus einem "III/V Verbindungshalbleiter" (z.B. GaAs o<strong>der</strong><br />
GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron<br />
photocathodes) mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant<br />
sensitivity) größer 15 mA/W;<br />
c) beson<strong>der</strong>s konstruierte Bauteile wie folgt:<br />
1. Mikrokanalplatten mit einem Lochabstand (Lochmitte zu Lochmitte) kleiner/gleich<br />
12 µm,<br />
2. elektronensensitives Element mit einem Abstand <strong>der</strong> ungebinnten Bildpunkte<br />
(non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 µm, beson<strong>der</strong>s konstruiert o<strong>der</strong><br />
geän<strong>der</strong>t für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) auf an<strong>der</strong>e<br />
Weise als mit Hilfe einer Mikrokanalplatte,<br />
3. Fotokathoden aus einem "III/V Verbindungshalbleiter" (z.B. GaAs o<strong>der</strong><br />
GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron<br />
fotocathodes);<br />
Anmerkung: Unternummer 6A002a2c3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden,<br />
entwickelt um eine <strong>der</strong> folgenden<br />
maximalen Strahlungsempfindlichkeiten (radiant<br />
sensitivity) zu erreichen:<br />
a) kleiner/gleich 10 mA/W bei einer<br />
Spitzenempfindlichkeit innerhalb des<br />
Wellenlängenbereichs größer 400 nm und<br />
kleiner/gleich 1 050 nm o<strong>der</strong><br />
b) kleiner/gleich 15 mA/W bei einer<br />
Spitzenempfindlichkeit innerhalb des<br />
Wellenlängenbereichs größer 1 050 nm und<br />
kleiner/gleich 1 800 nm.<br />
<strong>7815</strong>/<strong>09</strong> AF/ar 157<br />
ANHANG I DG E WMD DE
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