7815/09 - Öffentliches Register der Ratsdokumente - Europa

3E003 "Technologie" wie folgt für die "Entwicklung" oder "Herstellung" folgender Güter:
a) mikroelektronische Vakuumbauelemente;
b) Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z.B. HEMT (high electron mobility transistors),
HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices;
Anmerkung: ummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility
transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (heterobipolar
transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz.
c) "supraleitende" elektronische Bauelemente;
d) Substrate mit Diamantfilmen für elektronische Bauelemente;
e) Substrate aus silicon-on-insulator (SOI) für integrierte Schaltungen, wobei der Isolator aus
Siliziumdioxid besteht;
f) Substrate aus Siliziumkarbid für elektronische Bauelemente;
g) elektronische Vakuumröhren mit Betriebsfrequenzen größer/gleich 31,8 GHz.
3E101 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Ausrüstung
oder "Software", erfasst von Unternummer 3A001a1, 3A001a2, Nummer 3A101, 3A102 oder
3D101.
3E102 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung" von "Software",
erfasst von Nummer 3D101.
3E201 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Ausrüstung,
erfasst von Unternummer 3A001e2, 3A001e3, 3A001g, Nummer 3A201, 3A225 bis 3A233.
7815/09 AF/ar 132
ANHANG I DG E WMD DE