7815/09 - Öffentliches Register der Ratsdokumente - Europa

3B001 (Fortsetzung)
2. Anlagen für die Imprintlithographie, geeignet für die Herstellung von Strukturen
kleiner/gleich 180 nm,
Anmerkung: Unternummer 3B001f2 schließt ein:
- Anlagen für den Mikrokontaktdruck (micro contact printig tools),
- Anlagen für den Druck mit heißen Stempeln (hot embossing tools),
- Anlagen für die ano-Imprint-Lithographie,
- Anlagen für S-FIL (step and flash imprint lithography).
3. Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung oder die Herstellung von
Halbleiterbauelementen, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden
Eigenschaften:
a) Verwendung von abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder
"Laser"strahlen und
b) mit einer der folgenden Eigenschaften
1. Auflösungsvermögen kleiner als 0,2 µm,
2. Fähigkeit, Strukturen mit Abmessungen kleiner als 1 µm zu erzeugen, oder
3. Justiergenauigkeit (overlay accuracy) besser als ± 0,20 µm (3 Sigma);
g) Masken oder Reticles, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen;
h) Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht;
Anmerkung: Unternummer 3B001h erfasst nicht Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden
Schicht, entwickelt für die Fertigung von Speicherbauelementen,
die nicht von ummer 3A001erfasst sind.
i) Matrizen (templates) für die Imprintlithographie, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste
integrierte Schaltungen.
3B002 Prüfgeräte, besonders konstruiert für das Testen von fertigen oder unfertigen Halbleiterbauelementen, wie
folgt, sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür:
a) zum Prüfen der S-Parameter von Transistoren bei Frequenzen größer als 31,8 GHz;
b) nicht belegt;
c) zum Prüfen von integrierten Mikrowellenschaltungen, die von Unternummer 3A001b2 erfasst
werden.
3C Werkstoffe und Materialien
3C001 Hetero-epitaxiale Werkstoffe oder Materialien aus einem "Substrat", das mehrere Epitaxieschichten aus
einem der folgenden Materialien enthält:
a) Silizium (Si),
b) Germanium (Ge),
c) Siliziumkarbid (SiC) oder
d) "III/V-Verbindungen" von Gallium oder Indium.
7815/09 AF/ar 128
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