7815/09 - Öffentliches Register der Ratsdokumente - Europa
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f) Kathodenzerstäubungsbeschichtung (Sputtern/Aufstäuben) ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten, das auf dem Prinzip der Impulsübertragung beruht. Dabei werden positiv geladene Ionen mit Hilfe eines elektrischen Feldes auf die Oberfläche eines Targets (Beschichtungsmaterial) geschossen. Die Bewegungsenergie der auftreffenden Ionen reicht aus, um Atome aus der Oberfläche des Targets herauszulösen, die sich auf einem entsprechend angebrachten Substrat niederschlagen. Anmerkung 1: Die Tabelle bezieht sich ausschließlich auf das Abscheiden mittels Trioden- oder Magnetronanlagen oder reaktivem Aufstäuben, wodurch die Haftfestigkeit der Schicht und die Beschichtungsrate erhöht werden, sowie auf das beschleunigte Aufstäuben mittels einer am Target anliegenden HF-Spannung, wodurch nichtmetallische Schichtwerkstoffe zerstäubt werden können. Anmerkung 2: Ionenstrahlen mit niedriger Energie (weniger als 5 keV) können verwendet werden, um die Abscheidung zu aktivieren. g) Ionenimplantation ist ein oberflächenveränderndes Beschichtungsverfahren, bei dem das zu legierende Element ionisiert, durch ein Spannungsgefälle beschleunigt und in die Oberfläche des Substrats implantiert wird. Dies schließt Verfahren ein, bei denen neben der Ionenimplantation gleichzeitig das PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl und das Sputtern/Aufstäuben zur Anwendung kommen. 7815/09 AF/ar 109 ANHANG I DG E WMD DE
KATEGORIE 3 - ALLGEMEIE ELEKTROIK 3A Systeme, Ausrüstung und Bestandteile Anmerkung1: Die Erfassung der in den ummern 3A001 oder 3A002 - ohne die Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 - beschriebenen Ausrüstung, Baugruppen und Bauelemente, die besonders konstruiert sind oder dieselben Funktionsmerkmale wie andere Waren aufweisen, richtet sich nach deren Erfassungsstatus. Anmerkung2: Die Erfassung der in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a9 oder 3A001a12 beschriebenen integrierten Schaltungen, die festprogrammiert sind oder für eine bestimmte Funktion entwickelt wurden, richtet sich nach dem Erfassungsstatus der Waren, in denen sie verwendet werden. Ergänzende Anmerkung: Wenn der Hersteller oder Ausführer den Erfassungsstatus der anderen für die Endbenutzung vorgesehenen Ware nicht festlegen kann, richtet sich die Erfassung der integrierten Schaltungen nach den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a9 oder 3A001a12. 3A001 Elektronische Bauelemente und Baugruppen und besonders konstruierte Bestandteile hierfür wie folgt: a) integrierte Schaltungen für allgemeine Anwendungen wie folgt: Anmerkung1: Die Erfassung von (fertigen oder noch nicht fertigen) Wafern, deren Funktion festliegt, richtet sich nach den Parametern von Unternummer 3A001a. Anmerkung2: Zu den integrierten Schaltungen gehören: - "monolithisch integrierte Schaltungen", - "integrierte Hybrid-Schaltungen", - "integrierte Multichip-Schaltungen", - "integrierte Schichtschaltungen" einschließlich integrierter Schaltungen in SOS-Technologie, - "integrierte optische Schaltungen". 1. integrierte Schaltungen, entwickelt oder ausgelegt für eine der folgenden Strahlungsfestigkeiten: a) Gesamtdosis größer/gleich 5 x 10 3 Gy (Silizium), b) Dosisrate größer/gleich 5 x 10 6 Gy (Silizium)/s oder c) integrierter Teilchenfluss (integrated flux) der Neutronen (1 MeV-Äquivalent) größer/gleich 5 x 10 13 n/cm 2 bezogen auf Silizium oder der äquivalente Wert für andere Materialien. Anmerkung: Unternummer 3A001a1c gilt nicht für Metall/Isolator/Halbleiter- Strukturen (MIS-Strukturen). 7815/09 AF/ar 110 ANHANG I DG E WMD DE
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f) Kathodenzerstäubungsbeschichtung (Sputtern/Aufstäuben) ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten,<br />
das auf dem Prinzip <strong>der</strong> Impulsübertragung beruht. Dabei werden positiv geladene Ionen mit Hilfe<br />
eines elektrischen Feldes auf die Oberfläche eines Targets (Beschichtungsmaterial) geschossen. Die Bewegungsenergie<br />
<strong>der</strong> auftreffenden Ionen reicht aus, um Atome aus <strong>der</strong> Oberfläche des Targets herauszulösen, die sich auf<br />
einem entsprechend angebrachten Substrat nie<strong>der</strong>schlagen.<br />
Anmerkung 1: Die Tabelle bezieht sich ausschließlich auf das Abscheiden mittels Trioden- o<strong>der</strong> Magnetronanlagen<br />
o<strong>der</strong> reaktivem Aufstäuben, wodurch die Haftfestigkeit <strong>der</strong> Schicht und die Beschichtungsrate<br />
erhöht werden, sowie auf das beschleunigte Aufstäuben mittels einer am Target<br />
anliegenden HF-Spannung, wodurch nichtmetallische Schichtwerkstoffe zerstäubt werden<br />
können.<br />
Anmerkung 2: Ionenstrahlen mit niedriger Energie (weniger als 5 keV) können verwendet werden, um die<br />
Abscheidung zu aktivieren.<br />
g) Ionenimplantation ist ein oberflächenverän<strong>der</strong>ndes Beschichtungsverfahren, bei dem das zu legierende Element<br />
ionisiert, durch ein Spannungsgefälle beschleunigt und in die Oberfläche des Substrats implantiert wird. Dies<br />
schließt Verfahren ein, bei denen neben <strong>der</strong> Ionenimplantation gleichzeitig das PVD-Beschichten mittels<br />
Elektronenstrahl und das Sputtern/Aufstäuben zur Anwendung kommen.<br />
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