BLAU - Farbstoffe -- Pigmente -- Leuchtstoffe -- Laser

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BLAU BLAU durch Emission LEDs: Emission nach elektrischer Anregung LED: Emission durch Stromfluss relative Augen− empfindlichkeit Ultraviolett Rot Gelb Blau Violett Orange Grün Infrarot λ [pm] 0.35 3.6 GaN 0.4 0.45 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 E [eV] g 3.4 2H 3.2 4H ZnS ZnO α−SiC 3.0 6H BeTe GaS 2 SnO 2 CuCl CuBr CuAlS 2 2.8 21R ZnSe In 2O 3 CuAlSe 2 2.6 GaS AgGaS 2 AlP CdS Ga 2O 3 2.4 β−SiC ZnTe GaP ZnP MgSiP CuGaS 2 2 2 2.2 AlAs 2.0 CdSiP2 BP Cu 2O ZnSiP2 1.8 CdSe ZnGeP2 AgInS 2 1.6 1.4 GaAs AlSb CdTe ZnGeP2 AgGaSe 2 CdGeP2 1.2 InP CuGaSe2 CuInS2 Bandlücken von Halbleitermaterialien ◮ Population des Leitungsbands eines Halbleiters durch angelegte Spannung ◮ Auswahlregel △k=0 (direkte Bandlücke) ◮ Materialien mit passender Bandlücke für BLAU ◮ SiC: erste kommerzielle blaue LED, geringe Effizienz ◮ ZnSe: nie bis zur kommerziellen Reife entwickelt ◮ InGaN/GaN: UV – violett – blau – grün (je nach In-Gehalt) (InN: 0.7 eV; GaN: 3.4 eV)

BLAU BLAU durch Emission LED LEDs: Emission nach elektrischer Anregung Substrat (Kathode) Bonddraht Kunststoffhülle Kontakt− stifte (Anode) Al 2 O3 konstante Schicht n 0.65 GaAs .35 P.65 Übergangs− n 0.65 schicht GaAs 1−xPx 1 Substrat Spiegel GaP p (Zn−dotiert) n 1 Aufbau einer roten LED x ◮ Light Emitting Diods ◮ pn-Halbleiterdiode, in Durchlassrichtung verschaltet n p n U 0 p U 0 +U n− und p−Halbleiter d d d getrennt Spannunglos Sperrichtung Durchlaßrichtung pn-Übergang (Dioden) n U U p n p U −U 0

<strong>BLAU</strong><br />

<strong>BLAU</strong> durch Emission<br />

LED<br />

LEDs: Emission nach elektrischer Anregung<br />

Substrat<br />

(Kathode)<br />

Bonddraht Kunststoffhülle<br />

Kontakt− stifte<br />

(Anode)<br />

Al 2 O3<br />

konstante<br />

Schicht<br />

n 0.65<br />

GaAs .35 P.65<br />

Übergangs−<br />

n 0.65<br />

schicht GaAs 1−xPx 1<br />

Substrat<br />

Spiegel<br />

GaP<br />

p (Zn−dotiert)<br />

n 1<br />

Aufbau einer roten LED<br />

x<br />

◮ Light Emitting Diods<br />

◮ pn-Halbleiterdiode, in Durchlassrichtung<br />

verschaltet<br />

n p<br />

n<br />

U 0<br />

p<br />

U 0 +U<br />

n− und p−Halbleiter<br />

d<br />

d d<br />

getrennt Spannunglos Sperrichtung Durchlaßrichtung<br />

pn-Übergang (Dioden)<br />

n<br />

U<br />

U<br />

p n p<br />

U −U<br />

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