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Es erkennt hier eine sprudelnde Quelle. Wir auch. - ULV Leoben ...

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98<br />

Quantentransport Simulation<br />

Mit <strong>eine</strong>m selbst entwickelten Netzwerkmodell wird sowohl der verlustfreie als<br />

<strong>auch</strong> der verlustbehaftete elektrische Elektronentransport von Halbleitermikrostrukturen<br />

simuliert.<br />

Oben ist der simulierte Spannungsabfall <strong>eine</strong>s rechteckigen<br />

2D Quanten Hall Leiters ohne Gateelektrode<br />

dargestellt, der praktisch jenem <strong>eine</strong>s normalen<br />

ohm’schen Leiters mit Hallspannung im Magnetfeld<br />

entspricht. Rechts sieht man denselben Leiter mit<br />

aktivierter Gateelektrode, wodurch der Spannungsabfall<br />

in Längsrichtung (x) verschwindet und der<br />

gesamte Probenstrom als verlustfreier Strom im<br />

sehr schmalen streifenförmigen Gatebereich in der<br />

Probenmitte fließt. Dieser Gatebereich ist durch den<br />

Potentialsprung in y-Richtung gekennzeichnet, der<br />

die Hallspannung dieses verlustfreien Längsstromes<br />

darstellt.<br />

Förderung:<br />

Fonds zur Förderung der wissenschaftlichen Forschung, Projekt P19353-N16<br />

Josef Oswald<br />

Institut für Physik<br />

an der MUL seit: 1986<br />

Email: josef.oswald@unileoben.ac.at<br />

unileoben.ac.at/~oswald/<br />

Zur Person:<br />

Habilitiert seit 1997, bisher 8 Dissertationen und 12 Diplomarbeiten<br />

im Rahmen der eigenen Forschungsaktivitäten betreut<br />

und finanziert.<br />

Die Quantennatur des Elektronentransportes wird in<br />

mikroelektronischen Bauteilen künftig <strong>eine</strong> wichtige<br />

Rolle spielen. Über die Untersuchung des Quanten-Hall-<br />

Effektes (Nobelpreise für Physik 1985 an K.v.Klitzing<br />

und 1998 an Laughlin, Störmer u. Tsui) kann man die<br />

Grundlagen des quantisierten Stromtransportes erforschen.<br />

<strong>Wir</strong> haben ein Simulationsmodell entwickelt,<br />

womit wir als Erste in der Lage sind, den Quanten-<br />

Hall-Effekt <strong>auch</strong> für reale Probenstrukturen zu simulieren.<br />

Als Beispiel für unsere Resultate schlagen wir ein<br />

Experiment auf Basis <strong>eine</strong>r speziellen Gateelektrodenkonfiguration<br />

vor, für welches unsere Simulationen <strong>eine</strong><br />

Unterdrückung des elektrischen Längswiderstandes<br />

voraussagen.<br />

Forschungspartner:<br />

Y. Ochiai, Dept. of Materials Techn., Chiba Univ., Japan<br />

S.Komiyama, Dept. of Basic Science, Univ. Tokyo, Japan<br />

D.K. Maude, Hochfeld Magnetlabor Grenoble, Frankreich<br />

R. Römer, Centre for Scientific Computing, Warwick, UK<br />

Forschungsschwerpunkte:<br />

Elektronische Eigenschaften von niedrig dimensionalen<br />

Halbleiterstrukturen, Magnetotransport,<br />

Modellentwicklung und Simulation des Quanten-Elektron-<br />

Transportes in hohen Magnetfeldern

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