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Dreiphasen-Dreischalter-Dreipunkt- Pulsgleichrichtersystem

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42 Kapitel 2: Vergleich von PWM Gleichrichterkonzepten<br />

P / W<br />

120<br />

100<br />

80<br />

60<br />

40<br />

20<br />

0<br />

Transistor<br />

Freilaufdiode<br />

Netzdioden<br />

Eingangsind.<br />

Ausgangskond.<br />

Eigenbedarf<br />

Zusatzverluste<br />

320V<br />

400V<br />

530V<br />

(a)<br />

P / W<br />

120<br />

Abb.2.20: Aufteilung der Verluste des „1S DCM Boost“ nach Tab.2.14<br />

für die unterschiedlichen Eingangsspannungen 320, 400 und 530V bei<br />

einer Ausgangsleistung von 10.5kW (a) und für 166, 208 und 480V bei<br />

5.25kW Ausgangsleistung (b).<br />

100<br />

80<br />

60<br />

40<br />

20<br />

0<br />

Transistor<br />

Freilaufdiode<br />

Netzdioden<br />

Eingangsind.<br />

Ausgangskond.<br />

Eigenbedarf<br />

Zusatzverluste<br />

166V<br />

208V<br />

480V<br />

Als alternative Realisierungsvariante könnte man die Ausgangskondensatoren in eine<br />

Serienschaltung aufteilen und zwei in Serie geschaltete 600V MOSFETs an Stelle des<br />

1200V IGBTs verwenden, wobei der Mittelpunkt der Serienschaltung der<br />

Kondensatoren mit dem Mittelpunkt der Serienschaltung der MOSFETs zu verbinden<br />

wäre. In diesem Fall müsste man auch die Freilaufdiode DF durch zwei 600V Dioden<br />

ersetzen, wobei eine im oberen und eine im unteren Zweig der Schaltung anzuordnen<br />

wäre.<br />

Abb.2.21 zeigt die grafische Darstellung der Hauptanteile des Gleichrichtervolumens<br />

nach Tab.2.15. Die Eingangsinduktivitäten weisen zwar nur einen Induktivitätswert von<br />

L = 65µH auf, müssen aber für einen Spitzenstrom von ÎL = 65A und eine<br />

Schaltfrequenz von fP = 25kHz ausgelegt werden. Dies hat zur Folge, dass die<br />

Realisierung mit Ferritkernen des Typs E65/32/27 mit z.B. EPCOS N27 Material<br />

erfolgen muss. Die Induktivitäten weisen dann ein Einzelvolumen von 0.237dm 3 und<br />

ein Gesamtvolumen von VL = 0.711dm 3 auf. Damit ist eine Induktivität ungefähr gleich<br />

groß, wie eine Induktivität des „1S Boost“ mit einem Induktivitätswert von L = 750µH<br />

und einem Spitzenstrom von 25A, welche mit einem AMCC Metglas Kern mit<br />

wesentlich höherer Sättigungsinduktion realisiert werden konnte. Wegen der einfachen<br />

Regelung des Systems kann das notwendige Volumen der Steuerplatine sehr klein<br />

angenommen werden (Vcon = 0.025dm 3 ). Das Zusatzvolumen soll die<br />

(b)

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