Dreiphasen-Dreischalter-Dreipunkt- Pulsgleichrichtersystem

268 Verzeichnis verwendeter Formelzeichen
R Ohmscher Widerstand
RCE
RDS,on
RD
RG,on
RG,off
RTH
RTH,JC
RTH,CH
RTH,JH
RTH,Cu
RTH,Fe
(differenzieller) Kollektor-Emitter Widerstand eines IGBTs im
Einschaltzustand
Drain-Source Widerstand eines MOSFET im Einschaltzustand
(differenzieller) Widerstand einer Diode in Vorwärtsrichtung
Einschaltwiderstand am Gate
Ausschaltwiderstand am Gate
Thermischer Widerstand
Thermischer Widerstand von der Sperrschicht auf das Gehäuse
Thermischer Widerstand vom Gehäuse auf den Kühlkörper
Thermischer Widerstand von der Sperrschicht auf den Kühlkörper
Thermischer Widerstand der Kupferwicklung zur Umgebung
Thermischer Widerstand des Eisenkerns zur Umgebung
S Halbleiter-Leistungsschalter (MOSFET oder IGBT)
si
tµ,1
tµ
td
tr
Schaltsignal
Einschaltzeit
lokale, innerhalb einer Pulsperiode laufende Zeit
Überlappungszeit
Verzögerungszeit (response time)
T Transformator, Temperatur oder Periode
∆T Temperaturdifferenz
TA
TH
TJ
TJ,max
TP
TN
Umgebungstemperatur
Kühlkörpertemperatur
Sperrschichttemperatur
Maximale Sperrschichttemperatur
Pulsperiode
Netzperiode
THDI Stromverzerrung
THDU Spannungsverzerrung
uM
uN,i
ÛN
UN
Potentialdifferenz des Verbindungspunktes M der
Ausgangskondensatoren C+ und C- gegenüber dem idealen
Mittelpunkt der Ausgangsspannung uM = ½ (|uC-| - |uC+|)
Netzphasenspannung
Spitzenwert der Netzphasenspannung
Effektivwert der Netzphasenspannung