Dreiphasen-Dreischalter-Dreipunkt- Pulsgleichrichtersystem
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224 Kapitel 8: DC/DC Ausgangsstufe<br />
8.6 Zusammenfassung und Ausblick zum DC/DC Konverter<br />
Wie dieses Kapitel zeigt, können für eine Stromversorgungseinheit gute Leistungsdaten<br />
auch dann erreicht werden, wenn man herkömmliche Techniken anwendet, d.h.<br />
beispielsweise:<br />
• auf verlustfreie Ausschaltentlastungen der Leistungstransistoren [99] verzichtet,<br />
d.h. herkömmliche RCD-Schaltentlastungen anstatt von resonanten bzw.<br />
quasiresonanten Betriebsarten einsetzt;<br />
• unidirektionale Transformatorkernmagnetisierung, d.h. Vermeidung von<br />
Zusatzaufwand um eine symmetrische Kernmagnetisierung sicherzustellen, wie<br />
es z.B. bei einer Vollbrückentopologie notwendig wäre.<br />
Die Anwendung von Konvertertopologien mit höherer Komplexität ist daher speziell<br />
unter Berücksichtigung der Zuverlässigkeit bei höherer Komponentenanzahl unter dem<br />
Aspekt eines geringen Vorteils im Wirkungsgrad oder in der Leistungsdichte sehr<br />
genau zu analysieren.<br />
Im Zuge einer Weiterentwicklung des Systems könnten die Leistungstransistoren und<br />
-dioden durch ein isoliertes Gehäuse ersetzt werden (z.B. IXYS ISOPLUS247 TM ,<br />
[100]). Dies würde neben einer Verringerung des Produktionsaufwandes auch eine<br />
signifikante Verringerung des thermischen Widerstandes bringen, d.h. bei gleicher<br />
Sperrschichttemperatur könnte der Kühlkörper verkleinert und damit die<br />
Leistungsdichte erhöht werden.<br />
Die leitungs- und strahlungsgebundenen elektromagnetischen Störungen könnten durch<br />
optimale Platzierung der Komponenten und durch Einsatz eines Faradayschirms<br />
zwischen der Transformatorprimär- und -sekundärwicklung noch minimiert werden<br />
[101].<br />
Ein weiterer Entwicklungsschritt könnte durch den Ersatz der beiden Transformatoren<br />
aus Abb.8.3(b) durch nur einen Transformator, wie in Abb.8.19 gezeigt, erfolgen. Die<br />
resultierende Topologie würde einer Vollbrückenschaltung entsprechen, wobei ein<br />
Brückenzweig bestehend aus den Transistoren S1,a und S2,a zur oberen und der zweite<br />
Brückenzweig bestehend aus S1,b und S2,b mit der unteren Teilspannung verbunden<br />
wäre. Im Vergleich zur Verwendung von zwei Transformatoren kann dadurch der<br />
Verdrahtungs- und Montageaufwand reduziert werden, da nur mehr eine<br />
Sekundärwicklung und zwei Ausgangsdioden vorliegen. Das Kernmaterial würde durch