Dreiphasen-Dreischalter-Dreipunkt- Pulsgleichrichtersystem

Kapitel 3: Brückenzweigstrukturen 105
T =
j
25°C
ohne
Einschaltentlastung
T =
j
25°C
mit
Einschaltentlastung
Abb.3.9: Experimentelle Analyse des Schaltverhaltens des
Leistungstransistors IRG4PC50W (Warp Speed IGBT) in Verbindung mit
der ultraschnellen Freilaufdiode HFA15TB60 mit und ohne
Einschaltentlastung. Prüfparameter nach Tab.3.1. Sperrschichttemperatur
Tj = 25°C. (a) und (b): Schalten ohne Einschaltentlastung, (c) und (d):
Schalten mit Einschaltentlastung. Schalterstromspitzenwert iS = 20A.
Oben: negativer Schaltverlustwert -ps (10kW/Div außer (c) und (d):
2.5kW/Div), Mitte: negativer Leistungstransistorstrom -iS (20A/Div),
unten: Leistungstransistor-Kollektor-Emitterspannung uCE (100V/Div).
SDN-414
22.2
19.1
Abb.3.10: Koaxialshunt mit 2GHz Bandbreite zur Schaltverlustmessung
[46].
(a)
(c)
17.5
(b)
(d)