Dreiphasen-Dreischalter-Dreipunkt- Pulsgleichrichtersystem

98 Kapitel 3: Brückenzweigstrukturen
Leistungstransistors potentialmäßig um die Flussspannung der Diode DF höher als die
positive Zwischenkreisschiene. Da die Mittelpunktsdiode durch einen
Brückengleichrichter mit relativ langer Rückwärtserholzeit ausgeführt ist, bleibt der
Emitter des Leistungstransistors mit dem Ausgangsspannungsmittelpunkt verbunden.
Dementsprechend wird auch hier die Spannungsbeanspruchung des Leistungstransistors
durch den halben Ausgangsspannungswert, zuzüglich der transienten
Ausschaltüberspannungen zufolge parasitärer Verdrahtungsinduktivitäten, definiert. Bei
Anwendungen, bei denen man sich nicht auf das langsame Schaltverhalten der
Mittelpunktsdioden verlassen kann oder will ist eine Überspannungsbegrenzungs-
schaltung (Snubber) bestehend aus einer Diode, einem Kondensator und einem
Widerstand bzw. einer Diode und einer Z-Diode, parallel zum Leistungstransistor S
empfehlenswert. Sollte diese Begrenzungsschaltung aktiv werden, wird der Emitter
oder Kollektor des Leistungstransistors über DM+ oder DM– an den
Ausgangsspannungsmittelpunkt und über DF+ bzw. DF– auf die positive oder negative
Ausgangsspannungsschiene geklemmt. Durch die nun klare Definition der Spannung
am Leistungstransistor S ist auch die Spannungsbeanspruchung der Netzdioden DN
präzise gegeben, da beide Dioden in Serie geschalten sind und dadurch an einer der
beiden maximal die Spannung am Leistungstransistor auftreten kann.
3.2 Einschaltentlastung
In [44] wurde ein Konzept der Einschaltentlastung für Hochsetzstellersysteme
vorgestellt (Abb.3.4). Die Einschaltentlastung führt vorteilhafterweise zu keiner
Vergrößerung der Ausschaltspannung des Leistungstransistors S und kann in einer
abgewandelten Form auch für die Brückenzweigstruktur nach Abb.3.1(a) und (d)
Anwendung finden (siehe Abb.3.5).
Abb.3.4: Hochsetzsteller mit Einschaltentlastung, vorgestellt in [44].