1970 г. Февраль Том 100, вып. 2 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

ЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ ТВЕРДЫХ ТЕЛ 213
Интересно отметить, что в расчете Сегалла 33
для Си при нормальной
плотности методом функций Грина (Кон и Ростокер) получилось то же расположение
полос 4s и 3d, что и в нашем сферическом приближении.
Расположение полос при 1< δ < 3 такое же, как и при δ = 1,
но ширина их, естественно, больше. При δ = 5 (рис. 9) наружный электрон
находится на 4s.
150 -
Ρ
На рис. 10 мы приводим зависимость холодного давления от плотности
ρ (ρ) для Fe, Ni, Си. Видно, что кривая ρ (ρ) для Си лежит ниже,
чем такая же кривая для Ni. Такое расположение кривых давления
соответствует экспериментальным данным, хотя мы получаем несколько
завышенные по сравнению с экспериментальными значения холодного
давления в области δ ~ 1, что прежде всего связано с весьма грубой
оценкой обменного давления. Ошибка в определении нормальной плотности
в Си та же, что и в Ni (~30%) (табл. VI).
Таблица VI
Вклады в кинетическое давление от различных
полос в Си
б
4s
3.0
ЗсИ
'id'l
0,75
1
1,5
2
3
5
0.145
0,433
1,880
4,293
11,050
44,000
0,118
0.262
0,929
2,231
8,626
26,944
0,314
0,672
2,031
4,263
11,960
43,745
—0,043
—о. озз
0,210
0,804
3.299
15,429
Исследование тепловых свойств электронов в Си показало менее
резкие изменения φ/2, чем в Ni. При Τ — 0,001 и δ = 1 φ = 131 эрг/г-град 2 ,
что хорошо согласуется с экспериментальным значением 110 эрг/г- град 2 .
При малых δ кривые φ/2 (Τ) имеют характерный максимум: с возбуждением
заполненной подполосы 3dl при Τ > 0,002 φ/2 растет, а при
Τ > 0,02, когда возбуждается еще и 3d2, φ/2 начинает падать.